聚吡咯作为优良的导电聚合物,其具备环境稳定性好、导电率高、制备简便等优点,已经在高分子导线、电子和光学器件、防腐材料等各方面广泛应用。本文以吡咯单体、盐酸（HCl）、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）和过硫酸铵（APS）为基底,利用化学聚合法形成的高黏性网状薄膜,探讨其作为锂金属负极的电化学性能;利用扫描电子显微镜（SEM）、红外光谱对其进行了形貌和成分的表征。结果显示:试验最佳的反应条件为反应温度0℃～5℃,反应时间4h。通过对成膜后的聚吡咯进行电化学性能测试,在1mA/cm2-1mAh/cm2的电流密度下,库伦效率高达97.1%。