WSe2属于二维过渡族金属二硫化物（TMD）,具有高迁移率,以及良好的稳定性。本文采用磁控溅射技术和硒化的方法生长了WSe2薄膜,并通过湿法转移的方法构建了WSe2/GaAs异质结光电探测器。通过对WSe2薄膜成分和形貌的表征以及对器件电学性能参数的测试,结果表明,器件具有自驱动能力,在波长为808nm、强度为121mW/cm2的光照下,器件的开关比可达16.6×10～4,同时具有毫秒以下的响应速度和持续稳定工作的能力。