高深度宽比光刻腐蚀技术是目前先进的Q-MEMS微机电技术所需要的重要技术。本文对近几年利用A类等离子体与B39等离子体进行高速率的方法进行了综述，并对其优缺点及适用范围进行了综述。在相同底板上，可以在焊接后除去表面的一层。该技术解决了MEMS深孔涂层及光刻的难题，并与深反应离子刻蚀技术相结合，利用湿式腐蚀技术可以应用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS技术。