面向5G毫米波通信的砷化镓低噪声放大器设计-中讯万向期刊网

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面向5G毫米波通信的砷化镓低噪声放大器设计

摘　要：

基于0.15μm的砷化镓(GaAs)pHEMT工艺设计了一款毫米波低噪声放大器MMIC芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构。测试结果显示,工作频率范围覆盖26～30GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5GHz)频段,噪声系数在2.4～3.0dB的水平,小信号增益在23～26dB。

作　者：

张耀1;苏进2

单　位：

1.广东工业大学信息工程学院;2.中国铁路广州局集团有限公司广州通信段

关键字：

低噪声放大器;砷化镓(GaAs);毫米波;

页　码：

3-4

出　处：

无线互联科技
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2021年17期

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