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一种应用于MCU的宽电流范围全集成LDO设计
摘 要:
设计了一款应用于MCU的宽电流范围全集成LDO,可以满足MCU在不同工作模式下对电源的需求。芯片采用UMC公司的0.11μmCMOS工艺设计,版图面积为0.102mm2。仿真结果表明,在低功耗模式下,LDO的静态功耗只有0.505μA;正常工作模式下,最大负载电流可以到100mA,且具有很好的瞬态响应。
作 者:
诸葛坚
单 位:
金华职业技术学院
关键字:
全集成LDO;低功耗;宽电流范围;快速瞬态响应;
页 码:
75-77
出 处:
科学技术创新
-
2021年15期
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