氮化镓（GaN）功率器件作为典型的第三代半导体器件，相比于传统的硅（Si）器件，在导通电阻和栅极电荷上更具优势，可使功率转换器体积更小、频率及效率更高，因而被广泛应用在高频开关电源，以及民用、工业、通信等领域，具有广阔的应用前景。然而，GaN功率器件在实际应用中，存在驱动电压范围窄、阈值低的不足，易导致驱动误通、栅极击穿等问题。基于此，文章研究了GaN功率器件变换器拓扑结构的选择，以及适用于GaN功率器件的驱动及控制策略，可为GaN功率器件在高频开关电源中的应用设计合适的驱动电路，以确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。