论文介绍了一种简单、廉价的外延沉积方法,以传统的单晶硅为基底,在三水合金酸氯化金水溶液（HAuCl4·3H2O,0.1mM）中沉积高度结晶的金薄膜。单晶硅已被证明是高度结晶半导体、光学材料和超导体外延生长的理想衬底。电化学沉积的金箔沿着作为阴极的单晶硅衬底的晶向形成。通过石英晶体微天平定量地得到了薄膜厚度随时间的变化规律,薄膜厚度可由施加电压在0.1mM固定浓度下控制。为将金膜转移到硅衬底上,在光照射下通过硅氧化法制备了一层薄氧化物（SiOx）层。