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4H-SiC MOSFET交流特性的仿真和研究
摘　要：
本文通过二维数值模拟,从碳化硅MOSFET的结构中分离出P型和N型结构,同时考虑界面陷阱的影响,研究了SiO2/SiC界面态密度对C/V曲线的影响。
作　者：
  • 李国鑫
单　位：
    上海电力大学
关键字：
  • 4H-SiCMOSFET;态密度;施主陷阱受主陷阱电容;
页　码：
    108-110
出　处：
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