文章对具有新研发的、由常规的未掺杂的最后一层量子势垒（u-LQB）和p型掺Mg最后一层量子势垒（p-LQB）构成的复合最后一层量子势垒（CLQB）的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）进行了深入研究。研究结果表明，通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB，可显著提高DUV-LED的光输出功率。基于此成果，在使用优化的Mg掺入量下成功制备了输出功率较高的DUV-LED。在40mA的注入电流下，与未插入p-LQB的样品相比，具有优化的p-CLQB的AlGaN基DUV-LED的光输出功率增加了约30%。此外，基于电致发光和光致发光谱表征结果，揭示了DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高。