使用激光加工技术在单晶硅片表面制备带有500μm通孔的硅基盖板。本文将带有圆形通孔的盖板覆盖石英基底后,使用聚焦离子束穿过圆形通孔聚焦于石英表面加工凹槽和凹坑结构,基于硅板的导电圈的导电特性可收集-扩散离子束溅射出的带电粒子,降低电荷积聚-放电的频率。试验结果显示被硅基盖板的圆形通孔环绕的石英表面的刻蚀结果与未被环绕的区域的刻蚀效果相比,凹槽与凹坑有显著改善,甚至部分刻蚀结果与单晶硅表面的刻蚀结果一致。