二氧化硅在功率半导体芯片制造过程中，尤其是在4～6英寸功率半导体晶圆芯片制程中有着不可取代的作用，故研究以氢氟酸为主要成分的腐蚀剂对二氧化硅的腐蚀速率有着非常大的意义。本文主要通过研究二氧化硅腐蚀液中氢氟酸含量的不同以及腐蚀液温度的差异对二氧化硅腐蚀速率的影响，并将研究的成果应用于4～6英寸功率半导体晶圆芯片生产过程控制，以达到理想的二氧化硅去除量和精确控制。