用传统反应烧结制备的碳化硅电热元件，其使用温度一般低于1350℃，重结晶碳化硅电热原件的最高使用温度达1500℃，而热端具有抗氧化涂层的硅碳棒使用温度可达1600℃。但是，重结晶工艺的烧结机制是蒸发凝聚，在烧结过程中没有收缩，孔隙率较高。结果是，国产重结晶碳化硅电热原件的密度一直低于2.5g/cm3，成品的气孔率高达25%。重结晶硅碳棒具有很多相互连通的气孔，在高温环境下氧气通过连通的气孔极易将其氧化。